STD13N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 49.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD13N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD13N65M2 за ціною від 44.20 грн до 171.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
на замовлення 3404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |