Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD13NM60N

STD13NM60N

en.DM00073069.pdf
Код товару: 181495
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD13NM60N за ціною від 90.71 грн до 283.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics en.DM00073069.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.09 грн
10+191.08 грн
25+188.07 грн
100+178.45 грн
250+162.62 грн
500+153.54 грн
1000+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.09 грн
74+191.08 грн
76+188.07 грн
100+178.45 грн
250+162.62 грн
500+153.54 грн
1000+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics STB13NM60N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+220.78 грн
5+168.19 грн
10+150.62 грн
50+114.64 грн
100+103.76 грн
250+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics en.DM00073069.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.11 грн
10+178.79 грн
100+125.37 грн
500+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001076346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMicroelectronics en.DM00073069.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001076346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N en.DM00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N 734967684459174dm00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N 734967684459174dm00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N 734967684459174dm00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+194.09 грн
10+191.08 грн
25+188.07 грн
100+178.45 грн
250+162.62 грн
500+153.54 грн
1000+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N 734967684459174dm00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+194.09 грн
74+191.08 грн
76+188.07 грн
100+178.45 грн
250+162.62 грн
500+153.54 грн
1000+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STB13NM60N.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+220.78 грн
5+168.19 грн
10+150.62 грн
50+114.64 грн
100+103.76 грн
250+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N en.DM00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.11 грн
10+178.79 грн
100+125.37 грн
500+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N SGST-S-A0001076346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD13NM60N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N en.DM00073069.pdf
STD13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N SGST-S-A0001076346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD13NM60N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.