STD13NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 83.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD13NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD13NM60N за ціною від 65.90 грн до 263.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 904 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 6152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
на замовлення 3405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD13NM60N Код товару: 181495
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|