Продукція > STMICROELECTRONICS > STD13NM60N
STD13NM60N

STD13NM60N STMicroelectronics

734967684459174dm00073069.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD13NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STD13NM60N за ціною від 60.80 грн до 253.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00073069.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+87.17 грн
146+83.28 грн
250+79.94 грн
500+74.30 грн
1000+66.55 грн
2500+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.19 грн
5000+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+102.83 грн
5000+99.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+133.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001076346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.75 грн
500+116.07 грн
1000+86.73 грн
5000+83.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+142.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+177.36 грн
84+145.14 грн
85+143.68 грн
100+138.24 грн
250+127.71 грн
500+122.39 грн
1000+122.12 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E967A0127D4745&compId=STB13NM60N.pdf?ci_sign=3e6c6a7bbb193a382d6789223138eeff9153bd45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+182.81 грн
10+135.80 грн
15+63.95 грн
40+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf STD13NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+190.03 грн
10+155.51 грн
25+153.95 грн
100+148.11 грн
250+136.83 грн
500+131.14 грн
1000+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N
Код товару: 181495
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00073069.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00073069.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.51 грн
10+162.13 грн
100+109.15 грн
500+95.51 грн
2500+81.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E967A0127D4745&compId=STB13NM60N.pdf?ci_sign=3e6c6a7bbb193a382d6789223138eeff9153bd45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.38 грн
10+169.23 грн
15+76.75 грн
40+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00073069.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.78 грн
10+176.01 грн
100+127.54 грн
500+98.69 грн
1000+86.73 грн
5000+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00073069.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.36 грн
10+159.33 грн
100+111.41 грн
500+91.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60N Виробник : STMicroelectronics 734967684459174dm00073069.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.