STD13NM60ND STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 135.28 грн |
| 5000+ | 124.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD13NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 109W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 109W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції STD13NM60ND за ціною від 129.83 грн до 356.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD13NM60ND | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 109W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 109W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V |
на замовлення 9427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus |
на замовлення 4832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13NM60ND | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 109W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 109W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STD13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |