Продукція > STMICROELECTRONICS > STD140N6F7
STD140N6F7

STD140N6F7 STMicroelectronics

en.DM00257307.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.04 грн
5000+41.43 грн
7500+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD140N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD140N6F7 за ціною від 46.01 грн до 159.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD140N6F7 STD140N6F7 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001536-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.47 грн
500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7 STD140N6F7 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001536-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.88 грн
50+100.79 грн
100+80.47 грн
500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics en.DM00257307.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+98.42 грн
100+66.86 грн
500+50.08 грн
1000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics en.DM00257307.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 17536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7 SGST-S-A0008001536-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD140N6F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+80.47 грн
500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7 SGST-S-A0008001536-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD140N6F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+156.88 грн
50+100.79 грн
100+80.47 грн
500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7 en.DM00257307.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.11 грн
10+98.42 грн
100+66.86 грн
500+50.08 грн
1000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD140N6F7 en.DM00257307.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 17536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.