Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD150N3LLH6

STD150N3LLH6

Код товару: 100882

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції STD150N3LLH6

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
STD150N3LLH6	STMicroelectronics	MOSFET POWER MOSFET	на замовлення 1706 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
STD150N3LLH6	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
STD150N3LLH6	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

STD150N3LLH6

Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET

на замовлення 1706 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STD150N3LLH6

SGSTS35652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STD150N3LLH6

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.