STD150NH02L-1
Виробник: на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD150NH02L-1
Description: MOSFET N-CH 24V 150A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 15 V.
Інші пропозиції STD150NH02L-1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STD150NH02L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 24V 150A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STD150NH02L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 24V 150A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |