STD155N3H6
Виробник:
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD155N3H6
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STD155N3H6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STD155N3H6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
 |
STD155N3H6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Nchannel 30 V 2.5 m Ohm80A DPAK STripFET |
товару немає в наявності |