STD155N3LH6 STMicroelectronics
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.21 грн |
| 10+ | 114.00 грн |
| 100+ | 67.04 грн |
| 500+ | 55.09 грн |
| 1000+ | 52.06 грн |
| 2500+ | 44.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD155N3LH6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD155N3LH6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STD155N3LH6 |
|
на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| STD155N3LH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||
|
|
STD155N3LH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
STD155N3LH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STD155N3LH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
