Продукція > STMICROELECTRONICS > STD15N50M2AG
STD15N50M2AG

STD15N50M2AG STMicroelectronics

en.DM00173460.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.89 грн
5000+ 50.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD15N50M2AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STD15N50M2AG за ціною від 49.49 грн до 144.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Виробник : STMICROELECTRONICS 2819055.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+84.2 грн
500+ 66.29 грн
1000+ 52.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00173460.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.15 грн
10+ 97.36 грн
100+ 77.5 грн
500+ 61.54 грн
1000+ 52.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Виробник : STMicroelectronics std15n50m2ag-1850587.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.52 грн
10+ 108.47 грн
100+ 75.06 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 53.8 грн
2500+ 51.08 грн
5000+ 49.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Виробник : STMICROELECTRONICS 2819055.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.56 грн
10+ 108.79 грн
100+ 84.2 грн
500+ 66.29 грн
1000+ 52.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD15N50M2AG STD15N50M2AG Виробник : STMicroelectronics 1508144939390481dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD15N50M2AG Виробник : STMicroelectronics 1508144939390481dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній