STD15N50M2AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 84.46 грн |
| 500+ | 67.31 грн |
| 1000+ | 58.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD15N50M2AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD15N50M2AG за ціною від 58.43 грн до 178.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD15N50M2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD15N50M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.336 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.336ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD15N50M2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD15N50M2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STD15N50M2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STD15N50M2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STD15N50M2AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in |
товару немає в наявності |