Продукція > STMICROELECTRONICS > STD15N60DM6
STD15N60DM6

STD15N60DM6 STMicroelectronics

std15n60dm6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 338mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.66 грн
10+124.46 грн
100+95.37 грн
500+72.18 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD15N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 338mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.

Інші пропозиції STD15N60DM6 за ціною від 56.31 грн до 205.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD15N60DM6 STD15N60DM6 Виробник : STMICROELECTRONICS std15n60dm6.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD15N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.286 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.286ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.41 грн
10+137.49 грн
100+96.33 грн
500+66.36 грн
1000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N60DM6 STD15N60DM6 Виробник : STMicroelectronics std15n60dm6-1927859.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.49 грн
10+140.10 грн
100+85.87 грн
500+70.46 грн
1000+64.88 грн
2500+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N60DM6 STD15N60DM6 Виробник : STMicroelectronics std15n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N60DM6 Виробник : STMicroelectronics std15n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N60DM6 STD15N60DM6 Виробник : STMicroelectronics std15n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 338mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.