Продукція > STMICROELECTRONICS > STD15N60M2-EP
STD15N60M2-EP

STD15N60M2-EP STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0005230071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD15N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+160.72 грн
10+102.86 грн
100+70.07 грн
500+49.70 грн
1000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD15N60M2-EP STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STD15N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD15N60M2-EP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD15N60M2-EP STD15N60M2-EP STMicroelectronics STD15N60M2-EP.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N60M2-EP STD15N60M2-EP.pdf
STD15N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.