Продукція > STMICROELECTRONICS > STD15N65M5
STD15N65M5

STD15N65M5 STMicroelectronics

en.DM00055373.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.02 грн
10+131.50 грн
100+90.84 грн
500+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD15N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N CH 650V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.

Інші пропозиції STD15N65M5 за ціною від 61.79 грн до 196.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD15N65M5 STD15N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00055373.pdf MOSFETs N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.43 грн
10+142.81 грн
100+87.61 грн
500+73.37 грн
1000+72.76 грн
2500+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.dm00055373.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N65M5 STD15N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.dm00055373.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N65M5 STD15N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.dm00055373.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N65M5 STD15N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.dm00055373.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N65M5 STD15N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00055373.pdf Description: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.