STD15P6F6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.52 грн |
| 5000+ | 23.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD15P6F6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD15P6F6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 35W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції STD15P6F6AG за ціною від 24.59 грн до 118.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD15P6F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD15P6F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD15P6F6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD15P6F6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 35W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 20907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD15P6F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD15P6F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD15P6F6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD15P6F6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD15P6F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ -10 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 7914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD15P6F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD15P6F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD15P6F6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |