Продукція > STMICROELECTRONICS > STD16N60M6
STD16N60M6

STD16N60M6 STMicroelectronics

std16n60m6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.77 грн
10+ 118.92 грн
100+ 94.65 грн
500+ 75.16 грн
1000+ 63.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD16N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD16N60M6 за ціною від 59.82 грн до 159.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD16N60M6 STD16N60M6 Виробник : STMicroelectronics std16n60m6-1826679.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.67 грн
10+ 130.52 грн
100+ 90.8 грн
250+ 84.12 грн
500+ 75.44 грн
1000+ 65.23 грн
2500+ 59.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N60M6 STD16N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00510742.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD16N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00510742.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD16N60M6 STD16N60M6 Виробник : STMicroelectronics std16n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
товар відсутній