STD16N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 157.98 грн |
10+ | 112.91 грн |
100+ | 80.55 грн |
500+ | 64.31 грн |
1000+ | 59.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD16N60M6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STD16N60M6 за ціною від 60.33 грн до 172.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STD16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
STD16N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |