Продукція > STMICROELECTRONICS > STD16N60M6

STD16N60M6 STMicroelectronics

Name: STD16N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4459604-4
Price: 366.20 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	183.10 грн
10+	134.05 грн
100+	80.00 грн
500+	63.39 грн
1000+	62.55 грн
2500+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STD16N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD16N60M6

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STD16N60M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD16N60M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD16N60M6	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD16N60M6	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.