Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD16N65M2

STD16N65M2

en.DM00140850.pdf
Код товару: 198608
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD16N65M2 за ціною від 81.46 грн до 184.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics std16n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics std16n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics std16n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.63 грн
91+155.23 грн
103+137.59 грн
500+105.69 грн
1000+95.76 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 STMICROELECTRONICS en.DM00140850.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 STMICROELECTRONICS en.DM00140850.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 std16n65m2.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 std16n65m2.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 std16n65m2.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+184.63 грн
91+155.23 грн
103+137.59 грн
500+105.69 грн
1000+95.76 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.