Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD16N65M2

STD16N65M2

en.DM00140850.pdf
Код товару: 198608
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD16N65M2 за ціною від 52.97 грн до 212.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics std16n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics std16n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000178194-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+112.51 грн
500+94.63 грн
1000+78.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000178194-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.54 грн
10+123.11 грн
100+112.51 грн
500+94.63 грн
1000+78.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics std16n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+169.25 грн
91+142.30 грн
103+126.13 грн
500+96.88 грн
1000+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.83 грн
10+126.28 грн
100+86.97 грн
500+65.85 грн
1000+62.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00140850.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.79 грн
10+133.41 грн
100+81.06 грн
500+66.11 грн
1000+62.47 грн
2500+55.00 грн
5000+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics std16n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics std16n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.