STD16N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD16N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STD16N65M2 за ціною від 57.61 грн до 194.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD16N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD16N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD16N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD16N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD16N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD16N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD16N65M2 Код товару: 198608 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
STD16N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD16N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD16N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD16N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |