STD16NF06LT4 STMicroelectronics
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD16NF06LT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD16NF06LT4 за ціною від 19.07 грн до 140.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD16NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 19263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 40W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 16 Amp |
на замовлення 12542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD16NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |