Продукція > STMICROELECTRONICS > STD16NF25
STD16NF25

STD16NF25 STMicroelectronics

en.CD00173646.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.45 грн
5000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD16NF25 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 85W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm.

Інші пропозиції STD16NF25 за ціною від 52.84 грн до 180.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD16NF25 STD16NF25 STMicroelectronics en.CD00173646.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.15 грн
10+104.10 грн
100+71.17 грн
500+53.55 грн
1000+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25 STD16NF25 STMICROELECTRONICS 1700505.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.01 грн
50+115.72 грн
100+79.48 грн
500+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25 STD16NF25 STMicroelectronics en.CD00173646.pdf MOSFETs N-Channel 250V Pwr Mosfet
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25 en.CD00173646.pdf
STD16NF25
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.15 грн
10+104.10 грн
100+71.17 грн
500+53.55 грн
1000+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25 1700505.pdf
STD16NF25
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD16NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.01 грн
50+115.72 грн
100+79.48 грн
500+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16NF25 en.CD00173646.pdf
STD16NF25
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Channel 250V Pwr Mosfet
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.