Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD18N55M5

STD18N55M5

std18n55m5.pdf
Код товару: 89163
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD18N55M5 за ціною від 84.54 грн до 265.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD18N55M5 STD18N55M5 STMicroelectronics std18n55m5.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N55M5 STD18N55M5 STMicroelectronics std18n55m5.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.20 грн
10+167.15 грн
100+117.09 грн
500+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N55M5 STD18N55M5 STMicroelectronics std18n55m5-1850398.pdf MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N55M5 STD18N55M5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0012184992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD18N55M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N55M5 std18n55m5.pdf
STD18N55M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N55M5 std18n55m5.pdf
STD18N55M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.20 грн
10+167.15 грн
100+117.09 грн
500+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N55M5 std18n55m5-1850398.pdf
STD18N55M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N55M5 SGST-S-A0012184992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD18N55M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD18N55M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.