STD18N55M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 201.61 грн |
| 10+ | 163.35 грн |
| 100+ | 132.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD18N55M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD18N55M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STD18N55M5 за ціною від 100.44 грн до 237.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS |
на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD18N55M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD18N55M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD18N55M5 Код товару: 89163 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
STD18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STD18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STD18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 192mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 192mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |