Продукція > STMICROELECTRONICS > STD18N60M6
STD18N60M6

STD18N60M6 STMicroelectronics

std18n60m6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.90 грн
10+75.89 грн
100+58.36 грн
500+48.90 грн
1000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD18N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD18N60M6 за ціною від 44.34 грн до 195.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD18N60M6 STD18N60M6 Виробник : STMicroelectronics std18n60m6-1588779.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.84 грн
10+90.13 грн
100+59.36 грн
500+53.26 грн
1000+50.94 грн
2500+44.85 грн
5000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 Виробник : STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.81 грн
5+136.06 грн
9+104.31 грн
24+98.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 Виробник : STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.37 грн
5+169.55 грн
9+125.18 грн
24+117.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 Виробник : STMicroelectronics std18n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00562403.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 Виробник : STMicroelectronics std18n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.