STD18N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 104.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD18N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STD18N65M5 за ціною від 89.46 грн до 239.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5 |
на замовлення 1936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STD18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V |
товар відсутній |