Продукція > STMICROELECTRONICS > STD1HN60K3
STD1HN60K3

STD1HN60K3 STMicroelectronics

1422937356443585dm000.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD1HN60K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STD1HN60K3 за ціною від 20.18 грн до 148.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD1HN60K3 STD1HN60K3 Виробник : STMicroelectronics en.DM00080877.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.76 грн
10+85.93 грн
100+66.79 грн
500+53.13 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3 STD1HN60K3 Виробник : STMicroelectronics std1hn60k3-1850431.pdf MOSFET N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.58 грн
10+97.90 грн
100+66.35 грн
500+56.22 грн
1000+45.87 грн
2500+43.15 грн
5000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3 Виробник : STMicroelectronics en.DM00080877.pdf STD1HN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.19 грн
51+21.38 грн
139+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD1HN60K3 STD1HN60K3 Виробник : STMicroelectronics en.DM00080877.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.