Продукція > STMICROELECTRONICS > STD1NK60-1
STD1NK60-1

STD1NK60-1 STMicroelectronics

en.dm00365813.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
313+41.28 грн
338+38.25 грн
500+33.54 грн
3000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD1NK60-1 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD1NK60-1 за ціною від 19.91 грн до 113.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD1NK60-1 STD1NK60-1 Виробник : STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Case: I2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.27 грн
15+29.79 грн
75+26.27 грн
150+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1 STD1NK60-1 Виробник : STMicroelectronics en.dm00365813.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.91 грн
18+42.75 грн
100+39.61 грн
500+33.50 грн
3000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1 STD1NK60-1 Виробник : STMicroelectronics std1nk60-1.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.81 грн
75+46.96 грн
150+42.04 грн
525+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1 STD1NK60-1 Виробник : STMicroelectronics std1nk60-1.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0 A
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.07 грн
10+40.41 грн
100+32.56 грн
500+29.77 грн
1000+27.12 грн
3000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1 Виробник : ST std1nk60-1.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD1NK60-1 TSTD1NK60-1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60-1 STD1NK60-1 Виробник : STMicroelectronics en.dm00365813.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.