STD1NK60-1 STMicroelectronics
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 15.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD1NK60-1 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD1NK60-1 за ціною від 17.71 грн до 71.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD1NK60-1 | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.63A Power dissipation: 30W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD1NK60-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.63A Power dissipation: 30W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD1NK60-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD1NK60-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 6310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD1NK60-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD1NK60-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0 A |
на замовлення 4156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD1NK60-1 | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD1NK60-1 TSTD1NK60-1 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STD1NK60-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STD1NK60-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |