STD1NK60-1 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.23 грн |
| 75+ | 21.81 грн |
| 150+ | 21.38 грн |
| 525+ | 20.06 грн |
| 1050+ | 18.39 грн |
| 2025+ | 17.36 грн |
| 5025+ | 17.24 грн |
| 10050+ | 17.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD1NK60-1 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD1NK60-1 за ціною від 17.08 грн до 121.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 15399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.63A Power dissipation: 30W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 255 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0 A |
на замовлення 3852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD1NK60-1 | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD1NK60-1 TSTD1NK60-1 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STD1NK60-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 633+ | 22.33 грн |
| 645+ | 21.91 грн |
| 658+ | 21.48 грн |
| 676+ | 20.15 грн |
| 1050+ | 18.47 грн |
| 2025+ | 17.43 грн |
| 5025+ | 17.31 грн |
| 10050+ | 17.08 грн |
| STD1NK60-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 63.81 грн |
| 15+ | 30.05 грн |
| 75+ | 26.50 грн |
| 150+ | 24.38 грн |
| STD1NK60-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.05 грн |
| 75+ | 51.75 грн |
| 150+ | 46.33 грн |
| 525+ | 36.24 грн |
| STD1NK60-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0 A
MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0 A
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD1NK60-1 |
|
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD1NK60-1 TSTD1NK60-1
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD1NK60-1 TSTD1NK60-1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 20.32 грн |