Продукція > STMICROELECTRONICS > STD1NK60T4
STD1NK60T4

STD1NK60T4 STMicroelectronics

cd0000330.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD1NK60T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STD1NK60T4 за ціною від 17.18 грн до 85.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000330.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20 грн
5000+ 19.81 грн
12500+ 18.55 грн
25000+ 17.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000330.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.47 грн
5000+ 20.26 грн
12500+ 18.99 грн
25000+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.58 грн
5000+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+27.71 грн
25+ 24.48 грн
45+ 18.15 грн
124+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.25 грн
25+ 30.5 грн
45+ 21.78 грн
124+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 30669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+47.26 грн
500+ 32.27 грн
1000+ 25.42 грн
5000+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.44 грн
10+ 52.5 грн
100+ 40.86 грн
500+ 32.5 грн
1000+ 26.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4-1850552.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.44 грн
10+ 58.43 грн
100+ 39.46 грн
500+ 33.45 грн
1000+ 27.24 грн
2500+ 25.3 грн
5000+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 30669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+85.38 грн
12+ 66.65 грн
100+ 47.26 грн
500+ 32.27 грн
1000+ 25.42 грн
5000+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
STD1NK60T4 STD1NK60T4
Код товару: 118373 		std1nk60t4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000330.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000330.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000330.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній