Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD1NK60T4

STD1NK60T4

std1nk60t4.pdf
Код товару: 118373
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD1NK60T4 за ціною від 23.79 грн до 111.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.94 грн
5000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.15 грн
5000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.73 грн
500+30.67 грн
1000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.15 грн
6+82.58 грн
10+72.05 грн
50+49.58 грн
100+42.37 грн
500+31.76 грн
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 36052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.49 грн
50+68.55 грн
100+45.73 грн
500+30.67 грн
1000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+67.83 грн
100+45.24 грн
500+33.36 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.94 грн
5000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.15 грн
5000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD1NK60T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+45.73 грн
500+30.67 грн
1000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.15 грн
6+82.58 грн
10+72.05 грн
50+49.58 грн
100+42.37 грн
500+31.76 грн
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD1NK60T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
на замовлення 36052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+108.49 грн
50+68.55 грн
100+45.73 грн
500+30.67 грн
1000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.59 грн
10+67.83 грн
100+45.24 грн
500+33.36 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.