Продукція > STMICROELECTRONICS > STD1NK60T4
STD1NK60T4

STD1NK60T4 STMicroelectronics

cd0000330.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD1NK60T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STD1NK60T4 за ціною від 19.47 грн до 98.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.35 грн
500+34.68 грн
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A5A56FFCC0D2&compId=std1nk60t4.pdf?ci_sign=ea0a57aeda028779028126dbe362af1702ebe8a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.34 грн
10+57.07 грн
46+20.57 грн
124+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.40 грн
10+59.75 грн
100+44.69 грн
500+32.95 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.22 грн
50+66.13 грн
100+51.44 грн
500+40.51 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.34 грн
10+64.92 грн
100+42.30 грн
500+33.82 грн
1000+30.80 грн
2500+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A5A56FFCC0D2&compId=std1nk60t4.pdf?ci_sign=ea0a57aeda028779028126dbe362af1702ebe8a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.81 грн
10+71.11 грн
46+24.69 грн
124+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4
Код товару: 118373
Додати до обраних Обраний товар

std1nk60t4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000330.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Виробник : STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.