Продукція > STMICROELECTRONICS > STD1NK80ZT4
STD1NK80ZT4

STD1NK80ZT4 STMicroelectronics

95620929550154cd0005.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD1NK80ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STD1NK80ZT4 за ціною від 15.91 грн до 115.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics std1nk80zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.07 грн
5000+21.46 грн
10000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics std1nk80zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.79 грн
5000+23.13 грн
10000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics std1nk80zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.52 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics std1nk80zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.80 грн
5000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058073.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.06 грн
500+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics std1nk80zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+54.51 грн
234+52.18 грн
274+44.61 грн
276+42.72 грн
500+34.87 грн
1000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics std1nk80zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.04 грн
12+50.62 грн
25+48.45 грн
100+39.95 грн
250+36.73 грн
500+31.09 грн
1000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058073.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+67.13 грн
100+49.39 грн
500+36.57 грн
1000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058073.pdf MOSFETs N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.42 грн
10+72.59 грн
100+45.10 грн
500+36.34 грн
1000+33.55 грн
2500+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.54 грн
50+75.43 грн
100+54.06 грн
500+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics 95620929550154cd0005.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics 95620929550154cd0005.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058073.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD1NK80ZT4 STD1NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058073.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.