STD1NK80ZT4 STMicroelectronics
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD1NK80ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD1NK80ZT4 за ціною від 17.31 грн до 103.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 4751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STD1NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |