| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.84 грн |
| 10+ | 69.65 грн |
| 100+ | 42.24 грн |
| 500+ | 32.13 грн |
| 1000+ | 30.95 грн |
| 2500+ | 25.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD20NF10T4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 25A DPAK, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc).
Інші пропозиції STD20NF10T4 за ціною від 33.47 грн до 120.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD20NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N CH 100V 25A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STD20NF10T4 |
|
на замовлення 22500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
STD20NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 25A DPAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) |
товару немає в наявності |