STD20NF20 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD20NF20 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.
Інші пропозиції STD20NF20 за ціною від 64.24 грн до 260.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 830 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V |
на замовлення 3083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF20 | STM |
MOSFET N-CH 200V 18A D-PAK Транзистори |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
MOSFETs Low charge STripFET |
на замовлення 3509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 90W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
на замовлення 8501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD20NF20 | ST |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R STD20NF20 TSTD20NF20кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 77.56 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 80.57 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 93.93 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 100.72 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 185.37 грн |
| 5+ | 137.54 грн |
| 10+ | 121.07 грн |
| 75+ | 84.83 грн |
| 100+ | 80.71 грн |
| 250+ | 70.00 грн |
| 500+ | 64.24 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 68+ | 206.99 грн |
| 91+ | 154.54 грн |
| 100+ | 150.79 грн |
| 500+ | 106.57 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 209.37 грн |
| 10+ | 130.46 грн |
| 100+ | 89.97 грн |
| 500+ | 68.19 грн |
| 1000+ | 65.21 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STM
MOSFET N-CH 200V 18A D-PAK Транзистори
MOSFET N-CH 200V 18A D-PAK Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 260.60 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Low charge STripFET
MOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 3509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







