STD25N10F7 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD25N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET VII DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Інші пропозиції STD25N10F7 за ціною від 25.75 грн до 125.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD25N10F7 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD25N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD25N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD25N10F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD25N10F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET |
на замовлення 9260 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD25N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD25N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD25N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET VII DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
STD25N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET VII DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.83 грн |
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.69 грн |
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.91 грн |
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.02 грн |
| 10+ | 65.14 грн |
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
MOSFETs Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.26 грн |
| 10+ | 55.38 грн |
| 500+ | 39.53 грн |
| 1000+ | 34.23 грн |
| 2500+ | 29.76 грн |
| 5000+ | 27.18 грн |
| 10000+ | 25.75 грн |
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 125.13 грн |
| 10+ | 85.20 грн |
| 50+ | 69.85 грн |
| 100+ | 57.10 грн |
| 500+ | 38.73 грн |
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 118+ | 125.13 грн |
| 174+ | 85.20 грн |
| 212+ | 69.85 грн |
| 249+ | 57.10 грн |
| 500+ | 38.73 грн |
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD25N10F7 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)