STD25NF10LA

STD25NF10LA STMicroelectronics


704929101578849dm00039673.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD25NF10LA STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD25NF10LA за ціною від 34.46 грн до 149.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMicroelectronics 704929101578849dm00039673.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS29258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.86 грн
500+64.35 грн
1000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMicroelectronics en.DM00039673.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.36 грн
10+75.01 грн
100+50.45 грн
500+37.46 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMicroelectronics en.DM00039673.pdf MOSFETs 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.71 грн
10+96.22 грн
100+56.89 грн
500+45.39 грн
1000+42.67 грн
2500+38.42 грн
5000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00039673.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.17 грн
50+91.92 грн
100+82.16 грн
500+67.83 грн
1000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMicroelectronics 704929101578849dm00039673.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+149.72 грн
112+116.16 грн
120+107.56 грн
200+75.50 грн
500+68.45 грн
1000+52.44 грн
2000+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMicroelectronics 704929101578849dm00039673.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMicroelectronics 704929101578849dm00039673.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA Виробник : STMicroelectronics en.DM00039673.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.