Продукція > STMICROELECTRONICS > STD25NF10LA
STD25NF10LA

STD25NF10LA STMicroelectronics

en.DM00039673.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD25NF10LA STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD25NF10LA за ціною від 36.73 грн до 143.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD25NF10LA STD25NF10LA STMICROELECTRONICS SGSTS29258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.10 грн
500+67.78 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics STD25NF10LA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.12 грн
5+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics 704929101578849dm00039673.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.45 грн
174+81.66 грн
500+64.62 грн
1000+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics en.DM00039673.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.38 грн
100+54.05 грн
500+40.14 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA STMICROELECTRONICS en.DM00039673.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.06 грн
50+91.85 грн
100+82.10 грн
500+67.78 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics en.DM00039673.pdf MOSFETs 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA SGSTS29258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD25NF10LA
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+82.10 грн
500+67.78 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA STD25NF10LA.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.12 грн
5+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA 704929101578849dm00039673.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+121.45 грн
174+81.66 грн
500+64.62 грн
1000+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA en.DM00039673.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.90 грн
10+80.38 грн
100+54.05 грн
500+40.14 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA en.DM00039673.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.06 грн
50+91.85 грн
100+82.10 грн
500+67.78 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LA en.DM00039673.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.