STD25NF10T4 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD25NF10T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD25NF10T4 за ціною від 26.05 грн до 146.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD25NF10T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V |
на замовлення 6548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 25 Amp |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF10T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD25NF10T4 | Виробник : ST |
N-MOSFET 100V 25A 100W 0.035Ω STD25NF10 DPAK TSTD25nf10 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
STD25NF10T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 3883 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STD25NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |