Продукція > STMICROELECTRONICS > STD25NF10T4
STD25NF10T4

STD25NF10T4 STMicroelectronics

std25nf10t4.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD25NF10T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STD25NF10T4 за ціною від 31.32 грн до 154.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.20 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.73 грн
500+53.07 грн
1000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics STD25NF10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.84 грн
10+68.02 грн
27+33.11 грн
73+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 6548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.33 грн
10+83.12 грн
100+60.14 грн
500+44.94 грн
1000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics STD25NF10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.61 грн
10+84.77 грн
27+39.74 грн
73+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMICROELECTRONICS std25nf10t4.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.24 грн
10+101.43 грн
100+71.73 грн
500+53.07 грн
1000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics std25nf10t4-1850433.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 25 Amp
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.04 грн
10+105.63 грн
100+63.44 грн
500+50.59 грн
1000+46.21 грн
2500+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Виробник : STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.