STD25NF20 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 51.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD25NF20 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD25NF20 за ціною від 46.97 грн до 177.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD25NF20 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET |
на замовлення 14432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD25NF20 | Виробник : STMicroelectronics |
STD25NF20 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |