Продукція > ONSEMI > STD25P03LT4G
STD25P03LT4G

STD25P03LT4G onsemi

Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD25P03LT4G onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD25P03LT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD25P03LT4G STD25P03LT4G Виробник : onsemi NTD25P03L_D-2318755.pdf MOSFET PFET 30V SPCL TR
товару немає в наявності