STD26NF10

STD26NF10 STMicroelectronics


en.CD00157882.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD26NF10 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD26NF10 за ціною від 37.91 грн до 151.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD26NF10 STD26NF10 Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00157882.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.18 грн
10+89.31 грн
100+60.05 грн
500+44.47 грн
1000+38.64 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00157882.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.90 грн
10+97.62 грн
100+66.28 грн
500+49.62 грн
1000+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00157882.pdf MOSFETs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.27 грн
10+106.38 грн
100+62.55 грн
500+49.89 грн
1000+47.01 грн
2500+41.32 грн
5000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00157882.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 25A; 100W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 en.CD00157882.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10
Код товару: 170563
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00157882.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics cd0015788.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics cd0015788.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.