STD26NF10

STD26NF10 STMicroelectronics


en.CD00157882.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.11 грн
10+102.59 грн
100+69.84 грн
500+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD26NF10 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD26NF10 за ціною від 37.05 грн до 154.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD26NF10 STD26NF10 Виробник : STMICROELECTRONICS 2371829.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.55 грн
10+110.32 грн
100+75.17 грн
500+51.22 грн
1000+44.32 грн
5000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics std26nf10-1850434.pdf MOSFETs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.98 грн
10+113.10 грн
100+66.86 грн
500+53.36 грн
1000+52.33 грн
2500+44.18 грн
5000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 en.CD00157882.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10
Код товару: 170563
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00157882.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics cd0015788.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics cd0015788.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10 STD26NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00157882.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.