STD26P3LLH6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD26P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STD26P3LLH6 за ціною від 29.01 грн до 110.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
на замовлення 50680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI |
на замовлення 11736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 40W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 33743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 32681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |