Продукція > STMICROELECTRONICS > STD26P3LLH6
STD26P3LLH6

STD26P3LLH6 STMicroelectronics

STD26P3LLH6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.50 грн
7500+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD26P3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції STD26P3LLH6 за ціною від 27.41 грн до 142.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+102.64 грн
151+98.05 грн
250+94.12 грн
500+87.48 грн
1000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 29954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.36 грн
10+84.44 грн
50+63.54 грн
100+53.31 грн
500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6.pdf MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+142.23 грн
10+72.28 грн
100+49.37 грн
500+38.85 грн
1000+33.24 грн
2500+29.99 грн
5000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 24839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 24899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 1017321841458386dm00063009.pdf
STD26P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 1017321841458386dm00063009.pdf
STD26P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 1017321841458386dm00063009.pdf
STD26P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
144+102.64 грн
151+98.05 грн
250+94.12 грн
500+87.48 грн
1000+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6.pdf
STD26P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 29954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.36 грн
10+84.44 грн
50+63.54 грн
100+53.31 грн
500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6.pdf
STD26P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.23 грн
10+72.28 грн
100+49.37 грн
500+38.85 грн
1000+33.24 грн
2500+29.99 грн
5000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD26P3LLH6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 24839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD26P3LLH6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 24899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.