Продукція > STMICROELECTRONICS > STD26P3LLH6
STD26P3LLH6

STD26P3LLH6 STMicroelectronics

1017321841458386dm00063009.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD26P3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD26P3LLH6 за ціною від 19.36 грн до 147.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00063009.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.98 грн
500+43.39 грн
1000+37.64 грн
5000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+85.77 грн
151+81.94 грн
250+78.65 грн
500+73.10 грн
1000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.46 грн
12+71.11 грн
100+49.71 грн
500+34.68 грн
1000+28.79 грн
5000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00063009.pdf MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
на замовлення 6973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.52 грн
10+72.37 грн
100+44.08 грн
500+34.81 грн
1000+31.39 грн
2500+28.73 грн
5000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00063009.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 44022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.17 грн
10+90.26 грн
100+60.77 грн
500+45.17 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 Виробник : JSMicro Semiconductor en.DM00063009.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6 JSMICRO TSTD26P3LLH6 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics 1017321841458386dm00063009.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9C7D615A0C745&compId=STD26P3LLH6.pdf?ci_sign=4e62608939ad988ec21f7e193f0916972762dcd6 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.