STD26P3LLH6 JSMicro Semiconductor
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6 JSMICRO TSTD26P3LLH6 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 21.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD26P3LLH6 JSMicro Semiconductor
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD26P3LLH6 за ціною від 26.07 грн до 127.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI |
на замовлення 6507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
на замовлення 37777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD26P3LLH6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |