Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD2HNK60Z-1

STD2HNK60Z-1

en.CD00003701.pdf
Код товару: 88433
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD2HNK60Z-1 за ціною від 20.11 грн до 143.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics en.CD00003701.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.90 грн
75+62.65 грн
150+56.30 грн
525+44.36 грн
1050+40.69 грн
2025+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMICROELECTRONICS 2307234.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD2HNK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 en.CD00003701.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.90 грн
75+62.65 грн
150+56.30 грн
525+44.36 грн
1050+40.69 грн
2025+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 2307234.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2HNK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z-1 en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.