
STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
300+ | 12.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2HNK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD2HNK60Z-1 за ціною від 21.49 грн до 49.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z-1 Код товару: 88433
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STD2HNK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |