Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD2HNK60Z

STD2HNK60Z

en.CD00003701.pdf
Код товару: 61746
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD2HNK60Z за ціною від 32.88 грн до 133.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD2HNK60Z STD2HNK60Z STMicroelectronics std2hnk60z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
10+52.75 грн
100+39.50 грн
200+37.82 грн
500+35.89 грн
1000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z STD2HNK60Z STMicroelectronics en.CD00003701.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.67 грн
100+54.94 грн
500+40.81 грн
1000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z STD2HNK60Z STMicroelectronics en.CD00003701.pdf MOSFETs N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z std2hnk60z.pdf
STD2HNK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.99 грн
10+52.75 грн
100+39.50 грн
200+37.82 грн
500+35.89 грн
1000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z en.CD00003701.pdf
STD2HNK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.25 грн
10+81.67 грн
100+54.94 грн
500+40.81 грн
1000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2HNK60Z en.CD00003701.pdf
STD2HNK60Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.