STD2LN60K3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.33 грн |
| 10+ | 60.76 грн |
| 100+ | 40.31 грн |
| 500+ | 29.57 грн |
| 1000+ | 26.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2LN60K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 600V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STD2LN60K3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET |
на замовлення 9298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD2LN60K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
MOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
на замовлення 9298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)