STD2N105K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 52.03 грн |
| 5000+ | 48.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2N105K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD2N105K5 за ціною від 55.72 грн до 180.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N105K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N105K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 0.95A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package |
на замовлення 7392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V |
на замовлення 6589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 0.95A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |