Продукція > STMICROELECTRONICS > STD2N105K5
STD2N105K5

STD2N105K5 STMicroelectronics

en.DM00115979.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.44 грн
5000+46.38 грн
7500+44.77 грн
12500+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD2N105K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STD2N105K5 за ціною від 51.34 грн до 175.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics 713796535902861dm00115979.pdf Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics 713796535902861dm00115979.pdf Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics 713796535902861dm00115979.pdf Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.53 грн
101+139.94 грн
120+117.60 грн
200+108.18 грн
500+99.86 грн
1000+86.59 грн
2000+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics STD2N105K5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8Ω
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.40 грн
10+104.60 грн
25+87.86 грн
50+76.98 грн
100+68.62 грн
200+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 14568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.18 грн
10+108.37 грн
100+74.05 грн
500+55.71 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics std2n105k5-1850355.pdf MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 7392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMICROELECTRONICS 2816083.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMICROELECTRONICS 2816083.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 713796535902861dm00115979.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 713796535902861dm00115979.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 713796535902861dm00115979.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+150.53 грн
101+139.94 грн
120+117.60 грн
200+108.18 грн
500+99.86 грн
1000+86.59 грн
2000+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8Ω
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.40 грн
10+104.60 грн
25+87.86 грн
50+76.98 грн
100+68.62 грн
200+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 en.DM00115979.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 14568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.18 грн
10+108.37 грн
100+74.05 грн
500+55.71 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 std2n105k5-1850355.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 7392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 2816083.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 2816083.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 1.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.