STD2N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 37.24 грн |
| 5000+ | 33.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD2N80K5 за ціною від 38.22 грн до 132.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
на замовлення 7030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STD2N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STD2N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected |
на замовлення 3927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 52.24 грн |
| 5000+ | 50.00 грн |
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 52.24 грн |
| 5000+ | 50.00 грн |
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 54.13 грн |
| 5000+ | 51.82 грн |
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 54.48 грн |
| 5000+ | 52.15 грн |
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 257+ | 55.12 грн |
| 274+ | 51.52 грн |
| 500+ | 48.75 грн |
| 1000+ | 45.49 грн |
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 58.67 грн |
| 14+ | 54.77 грн |
| 100+ | 51.19 грн |
| 500+ | 46.71 грн |
| 1000+ | 41.85 грн |
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.17 грн |
| 10+ | 80.96 грн |
| 100+ | 54.66 грн |
| 500+ | 40.73 грн |
| 1000+ | 38.22 грн |
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)