Продукція > STMICROELECTRONICS > STD2N80K5
STD2N80K5

STD2N80K5 STMicroelectronics

en.DM00090142.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.33 грн
5000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD2N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD2N80K5 за ціною від 35.11 грн до 141.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD2N80K5 STD2N80K5 STMicroelectronics en.DM00090142.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.14 грн
100+54.78 грн
500+40.82 грн
1000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5 STD2N80K5 STMICROELECTRONICS 2371869.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.44 грн
10+90.23 грн
100+60.80 грн
500+41.21 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5 STD2N80K5 STMicroelectronics en.DM00090142.pdf MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5 en.DM00090142.pdf
STD2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.46 грн
10+81.14 грн
100+54.78 грн
500+40.82 грн
1000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5 2371869.pdf
STD2N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.44 грн
10+90.23 грн
100+60.80 грн
500+41.21 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N80K5 en.DM00090142.pdf
STD2N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.