STD2N95K5 STMicroelectronics
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 47.33 грн |
| 14+ | 45.85 грн |
| 25+ | 45.39 грн |
| 100+ | 43.38 грн |
| 250+ | 39.81 грн |
| 500+ | 37.87 грн |
| 1000+ | 37.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції STD2N95K5 за ціною від 36.42 грн до 115.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N95K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N95K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
STD2N95K5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STD2N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |