STD2N95K5 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 247+ | 57.25 грн |
| 250+ | 56.67 грн |
| 252+ | 56.17 грн |
| 254+ | 53.68 грн |
| 500+ | 49.25 грн |
| 1000+ | 46.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD2N95K5 за ціною від 42.23 грн до 145.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD2N95K5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD2N95K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD2N95K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD2N95K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected |
на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
STD2N95K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
STD2N95K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STD2N95K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 59.10 грн |
| 14+ | 57.25 грн |
| 25+ | 56.67 грн |
| 100+ | 54.16 грн |
| 250+ | 49.70 грн |
| 500+ | 47.28 грн |
| 1000+ | 46.84 грн |
| STD2N95K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 67.62 грн |
| 219+ | 64.44 грн |
| 246+ | 57.51 грн |
| 256+ | 53.30 грн |
| 500+ | 49.24 грн |
| 1000+ | 44.05 грн |
| 2000+ | 42.23 грн |
| STD2N95K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.46 грн |
| 10+ | 89.02 грн |
| 100+ | 60.14 грн |
| 500+ | 44.79 грн |
| STD2N95K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD2N95K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD2N95K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD2N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)