STD2NK100Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 56.41 грн |
| 5000+ | 55.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.85 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm.
Інші пропозиції STD2NK100Z за ціною від 55.50 грн до 259.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 372 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V |
на замовлення 6876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STD2NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 56.74 грн |
| 5000+ | 55.50 грн |
| STD2NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 76.04 грн |
| STD2NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 105.00 грн |
| 5000+ | 101.60 грн |
| STD2NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 105.00 грн |
| 5000+ | 101.60 грн |
| STD2NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 142.33 грн |
| 10+ | 89.29 грн |
| 75+ | 70.23 грн |
| 100+ | 68.20 грн |
| 250+ | 62.69 грн |
| STD2NK100Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 259.71 грн |
| 10+ | 162.86 грн |
| 50+ | 125.23 грн |
| 100+ | 106.14 грн |
| 500+ | 86.19 грн |