Продукція > ST > STD2NK60Z-1

STD2NK60Z-1


en.CD00003700.pdf Виробник: ST
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD2NK60Z-1 ST

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD2NK60Z-1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD2NK60Z-1 Виробник : ST en.CD00003700.pdf 07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD2NK60Z-1 Виробник : STM en.CD00003700.pdf SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD2NK60Z-1 STD2NK60Z-1 Виробник : STMicroelectronics 54cd00003700.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
STD2NK60Z-1 STD2NK60Z-1 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003700.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товар відсутній