Продукція > STMICROELECTRONICS > STD2NK90Z-1
STD2NK90Z-1

STD2NK90Z-1 STMicroelectronics

std2nk90z-1.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD2NK90Z-1 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.05A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції STD2NK90Z-1 за ціною від 62.51 грн до 195.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD2NK90Z-1 STD2NK90Z-1 STMicroelectronics std2nk90z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.91 грн
5025+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1 STD2NK90Z-1 STMicroelectronics en.CD00043981.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.52 грн
75+86.96 грн
150+78.56 грн
525+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1 STD2NK90Z-1 STMICROELECTRONICS 2307469.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1 STD2NK90Z-1 STMicroelectronics en.CD00043981.pdf MOSFETs N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1 std2nk90z-1.pdf
STD2NK90Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+75.91 грн
5025+75.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1 en.CD00043981.pdf
STD2NK90Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.52 грн
75+86.96 грн
150+78.56 грн
525+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1 2307469.pdf
STD2NK90Z-1
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90Z-1 en.CD00043981.pdf
STD2NK90Z-1
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.