STD2NK90Z-1 STMicroelectronics
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2NK90Z-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.05A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD2NK90Z-1 за ціною від 53.96 грн до 167.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD2NK90Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD2NK90Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD2NK90Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD2NK90Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A |
на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD2NK90Z-1 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD2NK90Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STD2NK90Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STD2NK90Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STD2NK90Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |