Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD2NK90ZT4
STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4

en.CD00043981.pdf
Код товару: 41387
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 2,1 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 485/19.5
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.50 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD2NK90ZT4 за ціною від 49.07 грн до 191.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics std2nk90z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.90 грн
5000+50.62 грн
10000+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics std2nk90z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.20 грн
5000+50.91 грн
10000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics STD2NK90Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.59 грн
10+99.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00043981.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.61 грн
10+118.61 грн
100+81.33 грн
500+61.34 грн
1000+57.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005444353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 22476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00043981.pdf MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 std2nk90z-1.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.90 грн
5000+50.62 грн
10000+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 std2nk90z-1.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.20 грн
5000+50.91 грн
10000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 STD2NK90Z.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+149.59 грн
10+99.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 en.CD00043981.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.61 грн
10+118.61 грн
100+81.33 грн
500+61.34 грн
1000+57.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 SGST-S-A0005444353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD2NK90ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 22476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2NK90ZT4 en.CD00043981.pdf
STD2NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
на замовлення 5393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.