Продукція > STMICROELECTRONICS > STD30N10F7
STD30N10F7

STD30N10F7 STMicroelectronics

en.DM00101600.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 0.02 Ohm typ. 35A STripFET
на замовлення 32 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.21 грн
10+114.45 грн
100+66.80 грн
500+53.98 грн
1000+50.37 грн
2500+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD30N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції STD30N10F7 за ціною від 87.71 грн до 102.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD30N10F7 STD30N10F7 STMICROELECTRONICS en.DM00101600.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD30N10F7 STD30N10F7 STMICROELECTRONICS en.DM00101600.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD30N10F7 STMicroelectronics en.DM00101600.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.65 грн
10+88.60 грн
25+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD30N10F7 en.DM00101600.pdf
STD30N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD30N10F7 en.DM00101600.pdf
STD30N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD30N10F7 en.DM00101600.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.65 грн
10+88.60 грн
25+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.