Продукція > ST > STD30NE06L

STD30NE06L


en.CD00001515.pdf
Виробник: ST
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD30NE06L ST

Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STD30NE06L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD30NE06L STD30NE06L Виробник : STMicroelectronics en.CD00001515.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD30NE06L STD30NE06L Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001515-1204792.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.