STD30NE06L-T4
Виробник:
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD30NE06L-T4
Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD30NE06L-T4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STD30NE06LT4 | Виробник : STM |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
STD30NE06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STD30NE06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |