STD30NF06LT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.11 грн |
| 5000+ | 31.49 грн |
| 7500+ | 30.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD30NF06LT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD30NF06LT4 за ціною від 33.26 грн до 130.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 35 Amp |
на замовлення 7554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 13842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 171530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| STD30NF06LT4 | Виробник : TECH PUBLIC |
Logic N-MOSFET 28A 60V 70W 0.02Ω STD30NF06L TSTD30nf06l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| STD30NF06L-T4 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 Код товару: 57766
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/23 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |