STD30NF06LT4 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD30NF06LT4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD30NF06LT4 за ціною від 41.76 грн до 108.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 8380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 189808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp |
на замовлення 5475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| STD30NF06LT4 | Виробник : TECH PUBLIC |
Logic N-MOSFET 28A 60V 70W 0.02Ω STD30NF06L TSTD30nf06l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| STD30NF06L-T4 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 Код товару: 57766 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/23 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
 |
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |