STD30NF06LT4
Код товару: 57766
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1600/23
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STD30NF06LT4 за ціною від 43.52 грн до 176.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 161897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 164822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD30NF06L-T4 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 110.63 грн |
| 10+ | 78.96 грн |
| 14+ | 72.17 грн |
| 25+ | 66.22 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 129+ | 114.31 грн |
| 161+ | 90.98 грн |
| 189+ | 77.69 грн |
| 250+ | 72.00 грн |
| 500+ | 54.36 грн |
| 1000+ | 43.73 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.66 грн |
| 10+ | 85.50 грн |
| 50+ | 64.35 грн |
| 100+ | 53.99 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 157.30 грн |
| 10+ | 109.30 грн |
| 25+ | 108.21 грн |
| 50+ | 87.67 грн |
| 100+ | 69.39 грн |
| 250+ | 63.67 грн |
| 500+ | 52.83 грн |
| 1000+ | 43.52 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 157.30 грн |
| 135+ | 109.30 грн |
| 136+ | 108.21 грн |
| 162+ | 87.67 грн |
| 189+ | 69.39 грн |
| 250+ | 63.67 грн |
| 500+ | 52.83 грн |
| 1000+ | 43.52 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 176.92 грн |
| 10+ | 114.31 грн |
| 25+ | 90.98 грн |
| 100+ | 74.92 грн |
| 250+ | 66.66 грн |
| 500+ | 52.19 грн |
| 1000+ | 43.73 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 161897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD30NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 164822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





