Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > STD35NF06LT4

STD35NF06LT4

en.CD00002363.pdf
Код товару: 41124
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD35NF06LT4 за ціною від 32.69 грн до 160.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002363.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.56 грн
5000+37.33 грн
7500+35.97 грн
12500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics std35nf06l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.76 грн
5+98.12 грн
10+86.38 грн
25+72.12 грн
50+62.90 грн
100+55.35 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002363.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 37367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.05 грн
100+60.87 грн
500+45.40 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMICROELECTRONICS SGSTS31561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD35NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.94 грн
50+103.23 грн
100+69.74 грн
500+48.91 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002363.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 35 Amp
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06L-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 en.CD00002363.pdf
STD35NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.56 грн
5000+37.33 грн
7500+35.97 грн
12500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 std35nf06l.pdf
STD35NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+132.76 грн
5+98.12 грн
10+86.38 грн
25+72.12 грн
50+62.90 грн
100+55.35 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 en.CD00002363.pdf
STD35NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 37367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.57 грн
10+90.05 грн
100+60.87 грн
500+45.40 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 SGSTS31561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD35NF06LT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD35NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+160.94 грн
50+103.23 грн
100+69.74 грн
500+48.91 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4 en.CD00002363.pdf
STD35NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 35 Amp
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06L-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.