Продукція > STMICROELECTRONICS > STD35NF06T4
STD35NF06T4

STD35NF06T4 STMicroelectronics

en.CD00002312.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD35NF06T4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD35NF06T4 за ціною від 27.96 грн до 138.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD35NF06T4 STD35NF06T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002312.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 35 Amp
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.52 грн
10+80.98 грн
100+46.71 грн
500+38.35 грн
1000+33.54 грн
10000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4 STD35NF06T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002312.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.84 грн
10+85.43 грн
100+57.75 грн
500+43.09 грн
1000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4 STD35NF06T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4 STD35NF06T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4 STD35NF06T4 Виробник : STMicroelectronics STD35NF06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.