STD35P6LLF6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.79 грн |
| 5000+ | 37.55 грн |
| 7500+ | 37.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD35P6LLF6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD35P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD35P6LLF6 за ціною від 36.46 грн до 172.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V |
на замовлення 7515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package |
на замовлення 8793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD35P6LLF6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD35P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD35P6LLF6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STD35P6LLF6 | Виробник : ST |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C; STD35P6LLF6 TSTD35p6llf6 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|