STD35P6LLF6

STD35P6LLF6 STMicroelectronics


en.DM00101433.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.68 грн
5000+37.45 грн
7500+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD35P6LLF6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD35P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD35P6LLF6 за ціною від 33.96 грн до 163.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 Виробник : STMicroelectronics 12081322088990246a.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+45.53 грн
309+41.91 грн
315+41.14 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 Виробник : STMicroelectronics 12081322088990246a.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.11 грн
5000+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 Виробник : STMicroelectronics 12081322088990246a.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.69 грн
5000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00101433.pdf MOSFETs P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 8793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.49 грн
10+68.23 грн
100+46.82 грн
500+41.44 грн
1000+39.34 грн
2500+35.01 грн
5000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00101433.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 11685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.02 грн
10+90.24 грн
100+61.01 грн
500+45.52 грн
1000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 Виробник : STMICROELECTRONICS 2371831.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD35P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.06 грн
10+104.36 грн
100+70.44 грн
500+51.93 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 Виробник : STMicroelectronics 12081322088990246a.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 Виробник : ST en.DM00101433.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C; STD35P6LLF6 TSTD35p6llf6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.